反應(yīng)式：Si+C=SiC

采用高純度金屬硅粉和高純度碳粉（石墨粉）、在真空或保護(hù)氣氛下加熱合成。在1150~1250℃元素硅（Si)與碳（C)反應(yīng)生成β-SiC，具有非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，到1350℃開(kāi)始有β-SiC結(jié)晶。在2000℃生成β-SiC結(jié)晶。高于2000℃可生成α-SiC。

用這種方法生產(chǎn)的碳化硅，雖然成本高，但可生產(chǎn)出高純度的碳化硅材料。