金蒙新材從相關(guān)碳化硅行業(yè)官網(wǎng)獲悉：新加坡最大研究所A*STAR的科學(xué)家在硅襯底研究方面取得重大成果。

　　科學(xué)家通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)在硅表面掃描飛秒電子激光束，在30毫米×30毫米的硅表面的廣泛區(qū)域打造出均勻的納米級(jí)波紋結(jié)構(gòu)。發(fā)現(xiàn)這種波紋結(jié)構(gòu)形成后，硅表面的平均反射率從39.7%降到了12.5%，這也意味著，由于波紋結(jié)構(gòu)的強(qiáng)烈散射，硅表面的光吸收率提高了41%。

　　金蒙新材碳化硅微粉質(zhì)檢經(jīng)理表示，由于這種結(jié)構(gòu)深度的增加能夠有效降低波紋結(jié)構(gòu)的光反射程度，提高波紋結(jié)構(gòu)的光捕獲能力，從而提高光伏設(shè)備的效率。

　　同時(shí)，金蒙新材電池負(fù)極材料碳化硅生產(chǎn)經(jīng)理也對(duì)此項(xiàng)技術(shù)滿懷期待，由于波紋狀表面比平滑表面的反射能力要小得多，這一技術(shù)未來(lái)如果應(yīng)用在太陽(yáng)能電池上，可以使太陽(yáng)能電池獲取更多的光，從而提高太陽(yáng)能電池效率。無(wú)疑，這一技術(shù)未來(lái)在太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管等領(lǐng)域的應(yīng)用將具有非常重要的意義。