近年來，新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認(rèn)為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動汽車。

近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來（NIOInc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動車的續(xù)航里程更遠(yuǎn)、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場帶來配備先進(jìn)半導(dǎo)體材料的電動車。

據(jù)悉，這次設(shè)計合作是安森美為開發(fā)適用于智能電動車等新興應(yīng)用技術(shù)的精力結(jié)晶成果。VE-TracDirectSiC采用了安森美的第二代SiCMOSFET技術(shù)，使性能、能效和質(zhì)量都達(dá)到新的水平，同時與上一代IGBT共享兼容的封裝尺寸。一個整合的柱狀鰭片底板可直接進(jìn)行液體冷卻，并易于封裝，從而達(dá)到最大的功率輸出和更高效的散熱。