碳化硅晶體作各種電子元器件的基片，碳化硅微粉生產(chǎn)的半導(dǎo)體發(fā)展前景廣闊。使用碳化硅半導(dǎo)體的電子設(shè)備，有50%的電能內(nèi)耗掉了。如果采用碳化硅，可使電能利用效率提高到70%。目前國際市場上直徑為2英寸(半徑25mm×0.3mm)的SiC晶體基片價格為500-800美元/片。據(jù)估計，到2005年國際上僅SiC半導(dǎo)體市場的營業(yè)額將達(dá)到2億5千萬美元。而到2009年，由于SiC和GaN半導(dǎo)體器件，高亮度的紫外藍(lán)光的LED和LD，以及固體照明的需求，寬帶半導(dǎo)體(SiC，GaN)的市場額將增至48億美元。此外，SiC將在大功率器件如電網(wǎng)調(diào)節(jié)和高頻器件如通訊系統(tǒng)和高清晰度電視系統(tǒng)有著不可估量的市場前景。目前以日本碳化硅晶片應(yīng)用技術(shù)最好。為金蒙新材料今后的發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)。