碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術(shù)中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項性能指標(biāo)，為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場實現(xiàn)條件。

碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心，決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關(guān)鍵反應(yīng)條件。熱場的配置核心是設(shè)置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場內(nèi)生長的晶體具有較小的原生內(nèi)應(yīng)力，同時具備合理可控的生長速率。