有研究表明，SiC陶瓷樣品的密度與熱導率隨YF3的加入顯示先增后減的變化，當加入5%的YF3時，密度與熱導率均達到最大。YF3作為燒結助劑可以提高SiC陶瓷的致密度和熱導率主要是由于YF3可以與SiO2反應生成第二相，同時達到除氧的目的，凈化SiC的晶格。而生成的液相也可以促進燒結的進行，降低燒結溫度。

密度與熱導率出現先增后減的變化，原因可能有如下兩點:

第一，添加適量燒結助劑形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量過少，不足以形成足夠的液相，而過量的YF3又會產生過多液相，粘度增加，均不利于碳化硅陶瓷的致密化。

第二，YF3中的Y元素可以和SiC表面SiO2中的O元素相結合生成氧化物，并分布于晶界內。當YF3含量較低時，沒有足夠多的YF3與SiO2進行作用，使得SiC晶粒中仍存在SiO2雜質。而過量的YF3會導致燒結反應生成的氣體大量揮發(fā)，使致密度下降。